我們可以買到的固態(tài)硬盤
過去的2011年,各路固態(tài)硬盤廠商如雨后春筍般的冒了出來,如今有Intel、鎂光、OCZ、威剛、浦科特、金士頓、奧瑞科、金勝等數(shù)十家。各路品牌意味著市面上我們能夠買到的固態(tài)硬盤產(chǎn)品也是琳瑯滿目。
固態(tài)硬盤內(nèi)部拆解
從上圖可以看到,固態(tài)硬盤的PCB板是由閃存顆粒、1顆控制芯片及1顆緩存芯片組成。所以主控芯片和閃存顆粒成為了固態(tài)硬盤的決定性因素(因為有些主控方案不需要緩存顆粒,因此緩存顆粒不構(gòu)成決定性因素),也是我們消費者購買固態(tài)硬盤首先要考慮的。
關(guān)于主控芯片
各大固態(tài)硬盤主控芯片品牌、型號、產(chǎn)品一覽 | ||||
品牌 |
型號 |
代表產(chǎn)品 | ||
Intel |
PC29AS21AA0、PC29AS21BA0 |
Intel 320 Series G3(80G) | ||
SandForce |
SF-1500/SF-1200、SF-2000系列 |
OCZ Agility 3 SATA3 60G | ||
JMicron |
JMF602、JMF612、JMF618 |
金士頓的SSD Now V系列 | ||
Marvell |
88SS9174-BJP2、88SS9174-BKK2 |
Intel的510系列、鎂光C400、浦科特 PX-128M2S | ||
Indilinx |
IDX110M00-LC、IDX110M01-LC |
SOLIDATA K5-64Me | ||
三星 |
S3C49RBX01-YH80、S3C29RBB01-YK40 |
三星 SLC 3.5 100GB | ||
東芝 | TC58NCF602GAT、TC58NCF618GBT、T6UG1XBG | 金士頓 SSDNow V+100系列 |
可以看到,SandForce的主控芯片憑借著出色的性價比依舊在主流市場上占據(jù)著十分大的份額,Intel主控芯片擁有先進的性能受到專業(yè)用戶和企業(yè)用戶的喜愛,而更高端還有Marvell的高性能產(chǎn)品坐鎮(zhèn),幾大芯片廠商都在不斷嘗試為自己的芯片產(chǎn)品尋找最合適的定位。在研發(fā)力度上,支持原生SATA6Gbps的主控有Marvell、SandForce和Indilinx三家。
關(guān)于閃存顆粒
閃存芯片
除了主控芯片和緩存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash閃存芯片了。NAND Flash閃存芯片又分為SLC(單層單元)和MLC(多層單元)NAND閃存:
1.SLC全稱是單層式儲存 (Single Level Cell),因為結(jié)構(gòu)簡單,在寫入數(shù)據(jù)時電壓變化的區(qū)間小,所以壽命較長,傳統(tǒng)的SLC NAND閃存可以經(jīng)受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅(qū)動,所以其速度表現(xiàn)更好,目前很多高端固態(tài)硬盤都是都采用該類型的Flash閃存芯片。
2.MLC全稱是多層式儲存(Multi Leveled Cell),它采用較高的電壓驅(qū)動,通過不同級別的電壓在一個塊中記錄兩組位信息,這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態(tài)硬盤中應(yīng)用最為廣泛的MLC NAND閃存,其最大的特點就是以更高的存儲密度換取更低的存儲成本,從而可以獲得進入更多終端領(lǐng)域的契機。不過,MLC的缺點也很明顯,其寫入壽命較短,讀寫方面的能力也比SLC低,官方給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬次。
閃存顆粒
除了MLC/SLC的區(qū)別,目前固態(tài)硬盤采用的閃存顆粒還有著25/34nm制程、同步/異步、ONFI/Toggle Mode等等不同。不同閃存顆粒數(shù)據(jù)傳輸率有著很大的差異,異步ONFI顆粒只有50MT/s(Intel或者Micron早期顆粒),同步ONFI 2.x顆粒則可以達到133MT/s ~ 200MT/s (Intel或者Micron顆粒),異步Toggly DDR 1.0顆粒也可以達到133MT/s ~ 200MT/s (TOSHIBA或者Samsung顆粒)。因此在通道數(shù)相同的前提下,閃存顆粒傳輸率更高的固態(tài)硬盤更容易突破500MB/s的持續(xù)讀取速度。