國星光電近日在互動平臺上表示,目前公司已在巨量轉(zhuǎn)移、共晶鍵合、量子點全彩化、檢測修復(fù)、高可靠性封裝等Micro LED領(lǐng)域多項關(guān)鍵技術(shù)上取得突破,Mini/Micro LED領(lǐng)域已申請發(fā)明專利100余件。
國星光電指出,公司最新推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ,像素間距300微米(P0.3),實現(xiàn)了8bit(256灰階)色深的顯示效果,同時在巨量轉(zhuǎn)移及巨量鍵合上獲得突破,其綜合良率達(dá)99.99% ,未來有望在大尺寸拼接智慧屏等高清顯示產(chǎn)品中獲得廣泛應(yīng)用。接下來,國星光電布局深耕新型微顯示賽道,不斷開發(fā)新品提升產(chǎn)品性能,在玻璃基Micro LED技術(shù)路線方面,將重點布局高端智慧屏、車載顯示屏和智能手表;在硅基Micro LED技術(shù)路線方面,重點布局AR顯示領(lǐng)域。
據(jù)悉,國星光電MiniLED背光源系列產(chǎn)品在亮度、對比度、光學(xué)厚度、色域等性能方面大大超越常規(guī)直下式背光源產(chǎn)品,為電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、平板電腦、車載顯示屏等多種顯示終端提供精密的光學(xué)布局,可實現(xiàn)精準(zhǔn)背光控制。