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兆馳半導體公開Micro LED芯片巨量轉移發(fā)明專利

來源:LEDinside 更新日期:2023-11-10 作者:佚名

    11月7日,兆馳半導體 宣布,公司一項Micro LED芯片巨量轉移發(fā)明專利已進入授權階段 ,新專利將進一步鞏固公司在新興應用市場的技術優(yōu)勢,增強公司的核心競爭力。

兆馳半導體公開Micro LED芯片巨量轉移發(fā)明專利

圖片來源:兆馳半導體

    發(fā)明專利信息顯示,兆馳半導體公開了一種Micro LED芯片的巨量轉移方法,該發(fā)明專利申請 號為CN2023107484692,專利類型為發(fā)明授權,授權公告日為2023年10月20日。

    該巨量轉移技術的具體方法與流程如下:

    通過將不同顏色的晶圓分別鍵合至透明過渡基板之上,去除晶圓襯底,激光光斑透過與不同顏色晶圓對應的掩模版,并透過過渡基板,對涂覆于晶圓中顯示單元上的過渡鍵合層進行照射,實現對過渡鍵合層的燒灼,則能夠將單色晶圓上的若干顯示單元同時轉移至目標基板上,這些單色的顯示單元在目標基板上預留有其它顏色顯示單元的芯片位;

    通過依次將藍光顯示單元、綠光顯示單元與紅光顯示單元批量轉移至目標基板上,能夠實現RGB三原色芯片在目標基板上有規(guī)律性的間隔重復排列,從而解決本發(fā)明所記載的技術問題。

兆馳半導體公開Micro LED芯片巨量轉移發(fā)明專利

圖片來源:兆馳半導體

    今年以來,兆馳半導體已公布了多個Micro LED 相關專利的新動態(tài)。2月,兆馳半導體有四項Micro LED相關專利申請公布或授權,分別是“一種MicroLED器件及其制備方法”、“一種micro-LED芯片的巨量轉移方法”、“一種倒裝Micro-LED芯片及制備方法”、”一種全彩Micro-LED芯片及其制備方法”。

    5月,兆馳半導體公布了“一種用于Micro LED的外延片 及其制備方法”的發(fā)明專利。6月,兆馳半導體獲得兩項Micro LED專利,分別是“一種Micro LED芯片及其制備方法”和“一種用于Micro LED芯片及其制備方法”。

    資料顯示,兆馳半導體成立于2017年,是兆馳股份全資子公司,是從事LED外延片和芯片的研發(fā)、設計、制造與銷售為一體的高科技企業(yè),主要生產藍綠光(GaN)與紅黃光(GaAs)LED外延芯片等。目前兆馳半導體正往Mini/Micro LED等微縮化芯片方向發(fā)展業(yè)務。

    上半年,兆馳半導體實現營收8.72億元,凈利潤1.07億元。報告期內,兆馳半導體的LED氮化鎵 芯片擴產項目已于6月底實現月產量100萬(4吋片)。

    另外,兆馳半導體在業(yè)內首推了03*07mil(88*175um),03*06mil(70*160um) MiniRGB芯片并已大規(guī)模投入使用。同時,公司還持續(xù)開發(fā)了02*06mil(50*150um),02*05mil(50*125um)等更多微縮化芯片。

    據悉,兆馳半導體已具備從LED襯底到芯片的完整布局,產能規(guī)模領先,成本優(yōu)勢明顯。同時在工藝端,兆馳半導體通過提升外延生長 中的波長均勻性,優(yōu)化芯片工藝精細度,來為Micro LED的投產做準備。

 標簽:LED上游 技術介紹
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