硅基OLED微顯示器件以單晶硅芯片為基底,像素尺寸為傳統(tǒng)顯示器件的1/10。基于其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和廣闊的應(yīng)用市場(chǎng),它有望在軍事以及消費(fèi)類電子領(lǐng)域掀起近眼顯示的新浪潮。
硅基OLED微顯示器件區(qū)別于常規(guī)利用非晶硅、微晶硅或低溫多晶硅薄膜晶體管為背板的AMOLED器件,它以單晶硅芯片為基底,像素尺寸為傳統(tǒng)顯示器件的1/10,精細(xì)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)器件。單晶硅芯片采用現(xiàn)有成熟的集成電路CMOS工藝,不但實(shí)現(xiàn)了顯示屏像素的有源尋址矩陣,還在硅芯片上實(shí)現(xiàn)了如SRAM存儲(chǔ)器、T-CON等多種功能的驅(qū)動(dòng)控制電路,大大減少了器件的外部連線,增加了可靠性,實(shí)現(xiàn)了輕量化。
與傳統(tǒng)的AMOLED顯示技術(shù)相比,OLED微顯示技術(shù)有以下突出特點(diǎn):1) 基底芯片采用成熟的集成電路工藝,可通過(guò)集成電路代工廠制造,制造良率更是大大高于目前主流的LTPS技術(shù)。2) 采用單晶硅,遷移率高、性能穩(wěn)定,壽命高于AMOLED顯示器。3) 200mm×200mm的OLED蒸鍍封裝設(shè)備就可滿足制造要求(與8英寸晶圓尺寸兼容),而不像AMOLED需要追求高世代產(chǎn)線。4) OLED微顯示器體積小,非常便于攜帶,并且其依借小身材提供的近眼顯示效果可以與大尺寸AMOLED顯示器相媲美。
與其他微顯示技術(shù)相比,OLED微顯示技術(shù)亦具有不少優(yōu)點(diǎn):1) 低功耗,比LCD功耗小20%,電池重量可以更輕。2) 工作溫度寬,LCD不能在極端溫度如0℃下工作,必須額外加熱元件,而在高溫下又必須使用冷卻系統(tǒng),所有這些解決方案都會(huì)增加整個(gè)顯示器的重量、體積和功耗。而OLED為全固態(tài)器件,不需要加熱和冷卻就可以工作在-46℃~+70℃的溫度范圍內(nèi)。3) 高對(duì)比度,LCD使用內(nèi)置背光源,其對(duì)比度為60:1,而OLED微顯示器的對(duì)比度可以達(dá)到10,000:1。4) 響應(yīng)速度快,OLED像素更新所需時(shí)間小于1s,而LCD的更新時(shí)間通常為10~15ms,相差了1,000到1,500倍,OLED的顯示畫(huà)面更流暢從而減小視疲勞。
下面,我們將重點(diǎn)介紹硅基OLED微顯示技術(shù),從它的應(yīng)用、國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)研發(fā)狀況等出發(fā)對(duì)現(xiàn)有OLED微顯示技術(shù)做一詳細(xì)闡述。