華盛頓大學(xué)研制出世上最薄的LED

    近日，據(jù)國外媒體報(bào)道，華盛頓大學(xué)宣布他們已經(jīng)研制出世上最薄的LED，其只有三個(gè)原子的厚度，是目前已有技術(shù)能做到的最薄LED了。其重點(diǎn)成份為二硒化鎢（tungsten diselenide），是已知最薄的半導(dǎo)體。一片這樣的物料只有傳統(tǒng)LED不到十分之一的厚度，但依然可以發(fā)出可見的亮度。

    另外，它也很有彈性和堅(jiān)固的。理論上，它可以應(yīng)用于光學(xué)電路和納米激光器等講求細(xì)小的科技上，同時(shí)，它也當(dāng)然有潛力用在現(xiàn)時(shí)斗薄斗輕的行動(dòng)裝置上吧，特別是最近熱門的可穿戴式裝置。