進(jìn)入2024年以來(lái),MIP(Micro LED in Package)封裝的Micro LED直顯產(chǎn)品熱度迅速升溫。不完全數(shù)據(jù)顯示,MIP LED直顯產(chǎn)品型號(hào),2024年春季同比增幅超10倍。有業(yè)內(nèi)人士表示,室內(nèi)小間距LED顯示需求,到2026年 Micro LED市場(chǎng)規(guī)模有可能追平Mini LED產(chǎn)品規(guī)模。這其中,Micro LED利用MiP封裝工藝的進(jìn)步,將是重要助力。
MIP讓Micro芯兼容Mini工藝
MIP類(lèi)封裝芯片的最大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)有三個(gè),包括對(duì)巨量轉(zhuǎn)移良率和高精度修復(fù)的友好、對(duì)Micro LED新規(guī)格芯片的友好、以及對(duì)成熟的終端集成工藝的友好。尤其是后者,成為了其核心競(jìng)爭(zhēng)力:
其中,典型的0404、0606、1010MIP等燈珠產(chǎn)品,可以很好的兼容SMD表貼工藝。即對(duì)目前產(chǎn)業(yè)中二三線企業(yè)普遍依賴(lài)的傳統(tǒng)工藝、設(shè)備和技術(shù)無(wú)縫銜接。這減少了將Micro LED技術(shù)快速引入到下游終端產(chǎn)品中的“中下游”投資和技術(shù)難度,擴(kuò)大了應(yīng)用市場(chǎng)拓展的基本面,并賦予二三線LED直顯企業(yè)利用已有技術(shù)和設(shè)備,進(jìn)入P1.0以下產(chǎn)品和Micro LED時(shí)代的“同等競(jìng)爭(zhēng)機(jī)遇”。
另外,0202、0404MIP封裝燈珠產(chǎn)品,不僅可以采用SMD表貼工藝,更是可以兼容既有的COB技術(shù)、COG技術(shù)工藝。特別是將Micro LED的裸芯,50微米以下的尺寸、對(duì)PCB需求50微米以下線寬的極限操作,轉(zhuǎn)化為200微米以上的封裝燈珠尺寸、50-100微米的PCB線寬需求——這種轉(zhuǎn)化,等于利用此前已經(jīng)開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)的Mini級(jí)別LED芯片終端集成工藝和設(shè)備,既可以處理0202等MIP燈珠產(chǎn)品的集成加工。
目前,小間距LED顯示先進(jìn)產(chǎn)品以處理Mini級(jí)別的芯片為主要的成熟制程.無(wú)論是SMD、COB,還是COG都可以依托MIP封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)用Mini的終端工藝處理Micro級(jí)芯片燈珠的跨代升級(jí)。
同時(shí),通過(guò)MIP封裝應(yīng)用Micro級(jí)芯片可以獲得更低的像素晶圓成本、COB等工藝前的燈珠篩選、COB等不用分次處理RGB芯片,而是一次完成RGB燈珠集成……進(jìn)一步提升了COB過(guò)程的良率、可靠性和灰度一致性,并降低了流程復(fù)雜度和成本。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,0202的MIP封裝或成為COB產(chǎn)品再次進(jìn)化增效的利器。
“Micro LED應(yīng)用的最大難度就是顆粒尺寸太小,進(jìn)入到10微米級(jí)別;這對(duì)于傳統(tǒng)的善于處理毫米級(jí)別器件的LED直顯產(chǎn)品很不友好——MIP的核心優(yōu)勢(shì)就在于,通過(guò)一次燈珠封裝,將10微米級(jí)別的器件,拉回到毫米或者亞毫米級(jí)別:MIP就是Mini技術(shù)的難度,Micro級(jí)別的產(chǎn)品的中間橋!”
行業(yè)研究認(rèn)為,MIP方案,將Micro LED技術(shù)的未來(lái)進(jìn)步與變化,隔離在晶圓、外延、裂片、封裝等前部產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié);而包括P0.3等常規(guī)彩電級(jí)別的LED大屏下游和終端集成,則可依賴(lài)既有技術(shù)不斷完善即可。這極大的保障了下游產(chǎn)業(yè)鏈工藝和資源的持續(xù)性,降低了產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)投資成本,極有利于新的上游技術(shù)快速落地。
推動(dòng)Micro LED新技術(shù)新應(yīng)用迭代升級(jí)
2023年MIP的主流規(guī)格是0404,2024年這一規(guī)格已經(jīng)向0202產(chǎn)品延伸。量產(chǎn)0202產(chǎn)品,更好的向P0.3X到P0.9應(yīng)用市場(chǎng)提供Micro LED產(chǎn)品,這成為主流行業(yè)玩家的共同目標(biāo)。0202也是MIP器件中對(duì)COB兼容性更佳的選擇。
同時(shí),2024年無(wú)襯底MIP產(chǎn)品也成為了研發(fā)重點(diǎn)。例如,2024年2月,國(guó)星光電申請(qǐng)了公開(kāi)號(hào)CN202410200472.5的名為“一種超薄LED芯片的制備方法及超薄LED芯片”的專(zhuān)利,即是一種無(wú)襯底熒光粉芯片方案。無(wú)襯底被認(rèn)為是繼倒裝工藝之后,LED產(chǎn)業(yè)芯片封裝進(jìn)一步挖潛發(fā)光效率,提升亮度、散熱性能和有效延長(zhǎng)使用壽命的非材料性進(jìn)步工藝。但是,無(wú)襯底工藝,增加了“襯底剝離”環(huán)節(jié),對(duì)于已經(jīng)困于巨量轉(zhuǎn)移的良品率和巨大操作量的Micro LED而言,并不容易落地。
而采用MIP封裝方案后,其對(duì)巨量轉(zhuǎn)移成品率的要求要低一個(gè)數(shù)量級(jí),可以在顯示集成前做像素級(jí)的品控篩選,進(jìn)而對(duì)于無(wú)襯底技術(shù)的應(yīng)用提供了更寬的工藝空間。
此外,2024年以來(lái)MIP固晶良率進(jìn)一步提升。業(yè)內(nèi)企業(yè)表示,RGB三原色0404產(chǎn)品固晶良率可達(dá)到5個(gè)9。且作為獨(dú)立器件,RGB MIP在此后的測(cè)試環(huán)節(jié),主要是進(jìn)行一致性篩選和不良剔除,其不需要Micro LED-COB工藝中,對(duì)缺陷的修復(fù)。在此后的終端制備中,亦只需要百微米級(jí)別的修復(fù)工藝和設(shè)備,不需要十微米級(jí)別器件的高精度修復(fù)設(shè)備與工藝。——即整體的良率提升和修復(fù)工藝友好性,保障了MIP未來(lái)向低成本演進(jìn)的可能性。
“封裝規(guī)格更小、無(wú)襯底技術(shù)帶來(lái)更好光效、更高良率、更小的Micro LED芯片……”2024年來(lái),MIP的進(jìn)步速度依然驚人。這也驅(qū)動(dòng)了更多行業(yè)企業(yè)對(duì)MIP的擴(kuò)產(chǎn)熱情。
大廠擁抱,擴(kuò)張MIP產(chǎn)能成未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)點(diǎn)
進(jìn)入2024年以來(lái),行業(yè)加速M(fèi)IP產(chǎn)品量產(chǎn)進(jìn)程。推動(dòng)更多新興MIP應(yīng)用產(chǎn)品落地成為行業(yè)頭部企業(yè)共識(shí):
例如,近期芯映光電展示了采用MiP0202器件制作的Micro LED P0.9 2K顯示屏,并表示0202產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉,芯映光電湖北項(xiàng)目,主要是支持三安等上游芯片產(chǎn)能的封裝需求,占地面積300畝,建筑面積達(dá)40萬(wàn)平方米,總投資80億元,建成后將形成Mini/Micro LED新型顯示器件50000KK/月產(chǎn)能。
洲明科技則表示,在Micro LED芯片級(jí)封裝方面,其已經(jīng)突破巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)實(shí)現(xiàn)Micro LED 30微米*50微米尺寸無(wú)襯底技術(shù),率先實(shí)現(xiàn)行業(yè)0202(0.2mm*0.2mm)MIP封裝器件技術(shù)突破,同步實(shí)現(xiàn)MIP P0.4間距顯示產(chǎn)品封裝。目前其Mini/Micro LED產(chǎn)能為3000KK/月,并計(jì)劃于2024年底擴(kuò)產(chǎn)至10000KK/月(COB產(chǎn)能4000KK/月,MIP產(chǎn)能6000KK/月)。
奧拓電子在美國(guó)Infocomm USA展全系列MIP產(chǎn)品
國(guó)星光電年初表示,針對(duì)不同LED顯示點(diǎn)間距與應(yīng)用需求,將旗下MIP產(chǎn)品劃分為了MIP-IMD與MIP-CHIP兩大方向。其RGB器件事業(yè)部現(xiàn)已達(dá)成MIP產(chǎn)品1000KK/月產(chǎn)能規(guī)模,有力承接Micro LED/Mini LED時(shí)代高質(zhì)量發(fā)展拓展需求。
“雖然投產(chǎn)產(chǎn)能有限,但是未來(lái)擴(kuò)張動(dòng)力十足。”行業(yè)分析認(rèn)為,MIP已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)能比拼的新發(fā)展階段。搶占產(chǎn)能優(yōu)勢(shì),進(jìn)而通過(guò)技術(shù)工藝的逐漸成熟、規(guī)模效益等,拉低MIP產(chǎn)品綜合成本,是未來(lái)三、五年內(nèi)LED直顯行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的一大中心點(diǎn)。業(yè)內(nèi)企業(yè)預(yù)測(cè)3年左右,MIP產(chǎn)品的成本渴望在同等微間距下低于傳統(tǒng)燈珠產(chǎn)品。
2023年之前是技術(shù)打通、2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)流程打通、2024年進(jìn)入產(chǎn)能競(jìng)賽階段……MIP的發(fā)展正在迎來(lái)日益“激烈”的全面較量期。作為Micro LED產(chǎn)品目前最容易成熟落地的方案,MIP在大屏LED顯示市場(chǎng)即將迸發(fā)出怎樣的能量,值得長(zhǎng)期關(guān)注。